中晶新源取得半导体功率器件封装结构专利封装体积较传统方案缩小60%

　　国家知识产权局信息显示，中晶新源（上海）半导体有限公司取得一项名为“一种半导体功率器件封装结构”的专利，授权公告号CN223810135U，申请日期为2025年4月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构，包括引线框架、三个半桥支路、铜桥、引线和封装体；每个所述半桥支路包括串联的两个开关芯片；所述引线框架包括三个半桥中点端铜片、一个电源端铜片、多个源极引出铜片和多个栅极引出铜片；所述铜桥包括三个二点支撑铜桥和三个三点支撑铜桥；每个所述源极引出铜片包括成对设置的边缘引脚，所述成对设置的边缘引脚的底面外露于封装体且在焊盘面连通。本实用新型采用6in 1的合封形式提高了芯片的集成度，集成封装通过优化内部互连结构，减少寄生电感/电容，使功率器件开关速度提升，动态损耗降低30％以上，封装体积较传统方案缩小60％，适用于移动设备、车载电子等高密度场景。

　　天眼查资料显示，中晶新源（上海）半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中晶新源（上海）半导体有限公司参与招投标项目2次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1个。

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